آنالیزو بهبود مشخصه های ترانزیستور تغییر ساختار یافته ی soi mesfet

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز-نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلسیم روی عایق بر روی آن می پردازد و در این راستا سه ساختار نوین ارائه می شود.با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم. در ساختار پیشنهادی اول یکsoi mesfetبا خازن گیت اصلاح شدهاز جنس سیلیسیم مورد مطالعه قرار گرفته است که در آن از یک تکه اکسید اضافی به عنوان مانع در کانال زیر گیت نزدیک درین برای بهبود مشخصات توانی و فرکانسیاستفاده شده است.در ساختار بهینه سازی بعدی از یک تکه فلز شناور در ترانزیستور دو گودی فرو رفته برای پراکنده کردن خطوط میدان الکتریکی استفاده شده است که باعث بهبود ولتاژ شکست ،جریان درین و در نتیجه بهبود مشخصات توانی شده است. همچنین به دلیل کاهش خازن های کانال مشخصات فرکانسی از جمله فرکانس قطع، ماکزیمم فرکانس نوسان،نویز، و ماکزیمم بهره قابل دسترسی نیز بهبود یافته است. در ساختار سومsoi mesfet با اکسید l-شکل ارائه می شود که این ساختار عمدتاً باعث بهبود ولتاژ شکست که یکی از مهم ترین اشکالات افزاره های ساخته شده بر روی تکنولوژیsoiمی باشد، می شود.همچنین به دلیل افزایش پهنای کانال و در نتیجه افزایش جریان درین،ماکزیمم توان خروجی در آن بهبود قابل توجهی داشته است. در نهایت soi mesfetباناحیه ی تخلیه ی اصلاح شده توسط گیت سه گودی ارائه می شودو مشخصات dcو فرکانسی آن مورد تحلیل قرار می گیرد.